HTN78A3競品對(duì)比

來源：時(shí) 間：2025-02-05

HTN78A3是3A降壓轉(zhuǎn)換器，具有從6V 到140V的寬輸入電壓，集成了250m?高側(cè)MOSFET。HTN78A3采用基于紋波電壓模式控制，支持跳周期調(diào)制（PSM），有助于轉(zhuǎn)換器在輕負(fù) 載下實(shí) 現(xiàn) 高效率。 HTN78A3 具有100kHz至1MHz的可編程開關(guān)頻率，外部電阻可調(diào)。HTN78A3允許從高輸入電壓到低輸出電壓的功率轉(zhuǎn)換，開關(guān)MOS的最小導(dǎo)通時(shí)間為120ns。該器件提供3ms的固定軟啟動(dòng)，以防止啟動(dòng)過程中的涌入電流。HTN78A3具有外部環(huán)路補(bǔ)償功能能，可靈活優(yōu)化環(huán)路穩(wěn)定性或環(huán)路響應(yīng)。HTN78A3提供谷值電流限制、熱關(guān)斷保護(hù)、輸出過壓保護(hù)、輸出過載保護(hù)和輸入電壓欠壓保護(hù)。該器件采用ESOP8封裝。

一、競品分析

型號(hào)	HTN78A3	SD493x/494x UC3212/3220/301x EG1187/OC5806L
電壓；	6~140V 最高耐壓受限于BCD工藝	18~150V 最高壓受限于合封MOS
電流；	2A，峰值3A	1.5A，峰值2A
優(yōu)劣勢(shì)分析；	1實(shí)地架構(gòu) 2負(fù)載響應(yīng)快,紋波小。 3靜態(tài)功耗低，不需要假負(fù)載 4EMI特性好	1浮地架構(gòu) 2 紋波大，負(fù)載響應(yīng)慢 3 靜態(tài)功耗大需要假負(fù)載 4.EMI干擾大

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HTN78A3競品對(duì)比