氮化鎵芯片制造商英諾賽科成功上市

據(jù)英諾賽科官微消息，12月30日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。

據(jù)了解，英諾賽科是一家專注于第三代半導體氮化鎵研發(fā)與制造的高新技術企業(yè)，擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，產品覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片、模組等，可廣泛應用于消費與家電、數(shù)據(jù)中心、汽車電子、新能源與工業(yè)等領域。

據(jù)悉，英諾賽科此番戰(zhàn)略配售，吸引了包括意法半導體（STMicroelectronics）、江蘇國企混改基金、東方創(chuàng)聯(lián)以及蘇州高端裝備在內的4名基石投資者，合共認購了1億美元的發(fā)售股份，其中意法半導體認購半數(shù)。

根據(jù)計劃，英諾賽科擬將約60%的募資資金所得款凈額用于擴大8英寸氮化鎵晶圓產能、購買及升級生產設備及機器以及招聘生產人員，計劃從截至2024年6月30日的每月12500片晶圓增加至未來五年的每月70000片晶圓。另外，募資資金所得款凈額約20%將用于研發(fā)和擴大氮化鎵產品組合，進一步提高終端市場中氮化鎵產品的滲透率；約10%用于擴大氮化鎵產品的全球分銷網絡；約10%用于營運資金及其他一般企業(yè)用途。