電路中底噪產(chǎn)生的原因

1、電路的本底噪聲的定義：   

    電路的本底噪聲是指在沒(méi)有輸入信號(hào)時(shí)，電路自身所產(chǎn)生的固有電噪聲，它由電路中的各種元件如電阻、晶體管等內(nèi)部的熱噪聲、散粒噪聲等多種噪聲源共同作用形成，是限制電路最小可檢測(cè)信號(hào)電平的重要因素。  

2、電路本底噪聲的組成

電路的本底噪聲包括以下成分：

•  散粒噪聲（Shot Noise）  

•  由離散電荷（如電子）通過(guò)勢(shì)壘（如PN結(jié)）的隨機(jī)性引起，常見(jiàn)于半導(dǎo)體器件。 公式：In=2qIDCBIn=2qIDCB（qq為電子電荷，IDCIDC為直流電流）。

 •  閃爍噪聲（1/f 噪聲）

•  低頻噪聲，功率譜密度與頻率成反比，常見(jiàn)于晶體管和碳膜電阻。

 •  環(huán)境干擾

 •  外部電磁干擾（EMI）、電源噪聲、接地環(huán)路噪聲等。  

3、 熱噪聲的基本原理      

  熱噪聲（又稱(chēng)約翰遜-奈奎斯特噪聲）是由導(dǎo)體中電荷載流子（如電子）的隨機(jī)熱運(yùn)動(dòng)引起的。它是所有電阻性元件（如電阻、導(dǎo)線、半導(dǎo)體器件等）固有的物理現(xiàn)象，即使沒(méi)有外加電壓也會(huì)存在。             4、關(guān)鍵公式 噪聲電壓：
           Vn=4kTRBVn=4kTRB

1.  k：玻爾茲曼常數(shù)（1.38×10−23 J/K1.38×10−23J/K）

 2.  TT：絕對(duì)溫度（單位：K）

 3.  RR：電阻值（單位：Ω）

 4.  BB：系統(tǒng)帶寬（單位：Hz）

  1.  噪聲功率：
Pn=kTBPn=kTB （與電阻無(wú)關(guān)，僅取決于溫度和帶寬）

    5、 熱噪聲的特性

 1.  高斯分布：噪聲幅值服從高斯分布，頻譜平坦（“白噪聲”）。  

 2.  與溫度相關(guān)：溫度越高，噪聲越大。

 3.  與帶寬相關(guān)：系統(tǒng)帶寬越寬，總噪聲越大。

 4.  與電阻相關(guān)：電阻值越大，噪聲電壓越高（但噪聲功率相同）。     

          6. 熱噪聲在電路中的影響

信號(hào)鏈極限：熱噪聲決定了模擬電路（如放大器、ADC）的最小可檢測(cè)信號(hào)。

高頻系統(tǒng)：在寬帶系統(tǒng)（如射頻電路）中，熱噪聲影響更顯著。

低噪聲設(shè)計(jì)：需通過(guò)選擇低噪聲元件、降低溫度（如制冷）、限制帶寬等方    式優(yōu)化。  

7、如何降低熱噪聲的影響

•  降低溫度：例如使用液氮制冷（極端情況），或優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)。

 •  減小電阻值：選擇低阻值電阻或并聯(lián)電阻（需權(quán)衡功耗）。

 •  限制帶寬：通過(guò)濾波器限制系統(tǒng)帶寬至所需最小范圍。

 •  選擇低噪聲器件：如金屬膜電阻（熱噪聲低）、低噪聲運(yùn)放。

 •  優(yōu)化電路布局：減少寄生電阻和電感，避免引入額外噪聲。  

  8、實(shí)例分析

假設(shè)一個(gè)電阻 R=1 kΩR=1kΩ，溫度 T=300 KT=300K，帶寬 B=1 MHzB=1MHz： Vn=4×1.38×10−23×300×1000×106≈4.07 nV/√Hz×106=4.07 μVVn=4×1.38×10−23×300×1000×106≈4.07nV/√Hz×106=4.07μV 在示波器或頻譜儀上可觀察到這一量級(jí)的噪聲。