內(nèi)置MOS管TP8350、TP8356升壓芯片驅動大電流方案

典型應用電路：

輸入電源為鋰電池（3.2v≤Vin≤4.2v）

1．驅動負載150mA≤Io≤500mA

（1）TP8350典型應用電路

   

鋰電池輸入條件下TP8350驅動大負載電路

 

建議各器件參數(shù)L=47uH（內(nèi)阻<0.1ohm），Cin=47uF（實際應用中可不接該電容），

Diode=1N58171N58181N5819，

Cout為20uF電解電容（或20uF膽電容串聯(lián)0.5歐姆電阻）和0.1uF陶瓷電容并聯(lián)。

驅動400mA負載下，效率高于80%

（2）TP8356典型應用電路

鋰電池輸入條件下TP8350驅動大負載電路

建議各器件參數(shù)L=100uH（內(nèi)阻<0.1ohm），Cin=47uF（實際應用中可不接該電容），

Diode=1N58171N58181N5819，

Cout為20uF電容（不分電解電容、膽電容）串聯(lián)0.5歐姆電阻和0.1uF陶瓷電容并聯(lián)。

驅動400mA負載下，效率高于80%

 

2．  驅動負載Io<150mA時

       TP8350、TP8356外圍器件參數(shù)參照TP83規(guī)格書中典型應用電路的參數(shù)。

 

注意：TP8350、TP8356應用中陶瓷電容0.1uF~1uF必須接上，并且靠近芯片輸出端。